Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M102J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 130 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.7Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M102J.
10M102J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
10M102J ist für 130 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
10M102J hat einen DC-Widerstand von 3.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
10M102J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 130 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.7Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 130MA 3.7 OHM TH |
| Serie | 10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 55 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 50MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
