Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 10M112JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 11 µH, Nennstrom 156 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.6Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 10M112JLF.
10M112JLF hat eine Induktivität von 11 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
10M112JLF ist für 156 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
10M112JLF hat einen DC-Widerstand von 2.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
10M112JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 11 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 156 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.6Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 11UH 156MA 2.6 OHM TH |
| Serie | 10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 45MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
