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15MG221K

15MG221K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 15MG221K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 435 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
435 mA
DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max
Abmessungen
0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 15MG221K.

Induktivität
2.2 µH

15MG221K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
435 mA

15MG221K ist für 435 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max

15MG221K hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

15MG221K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom435 mA
DC-Widerstand (DCR)950mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.156" Dia x 0.375" L (3.96mm x 9.53mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 435MA 950 MOHM
Serie15MG
ProduktstatusActive
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz33 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz135MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial

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