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19F753JLF

19F753JLF

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 750UH 158MA 11.2 OHM

Technische Daten

Induktivität
750 µH
Nennstrom
158 mA
DC-Widerstand (DCR)
11.2Ohm Max
Abmessungen
0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19F753JLF.

Induktivität
750 µH

19F753JLF hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
158 mA

19F753JLF ist für 158 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.2Ohm Max

19F753JLF hat einen DC-Widerstand von 11.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

19F753JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität750 µH
Toleranz±5%
Nennstrom158 mA
DC-Widerstand (DCR)11.2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 750UH 158MA 11.2 OHM
Serie19F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz3.3MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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