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CTS4F-821K

CTS4F-821K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 820UH 151MA 10 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
151 mA
DC-Widerstand (DCR)
10Ohm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS4F-821K.

Induktivität
820 µH

CTS4F-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
151 mA

CTS4F-821K ist für 151 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10Ohm Max

CTS4F-821K hat einen DC-Widerstand von 10Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS4F-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom151 mA
DC-Widerstand (DCR)10Ohm Max
Sättigungsstrom45mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820UH 151MA 10 OHM TH
SerieCTS4F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz70 @ 790kHz
Eigenresonanzfrequenz4.8MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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