Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19M753J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750 µH, Nennstrom 83 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 14.4Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19M753J.
19M753J hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19M753J ist für 83 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19M753J hat einen DC-Widerstand von 14.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19M753J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 19M753J weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 750 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 83 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 14.4Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 750UH 83MA 14.4 OHM TH |
| Serie | 19M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.3MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | 0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm) |
| Höhe - sitzend (max.) | Axial |
