Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 1B753LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 740mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 1B753LF.
1B753LF hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
1B753LF ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
1B753LF hat einen DC-Widerstand von 740mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
1B753LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 750 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 740mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.500" Dia x 1.100" L (12.70mm x 27.94mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 750UH 1A 740 MOHM TH |
| Serie | 1B |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
