Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 8M221K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 257 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 720mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 8M221K.
8M221K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
8M221K ist für 257 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
8M221K hat einen DC-Widerstand von 720mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
8M221K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 257 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 720mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.078" Dia x 0.200" L (1.98mm x 5.08mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 257MA 720 MOHM |
| Serie | 8M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 130MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
