Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 8M222K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 105 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.3Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 8M222K.
8M222K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
8M222K ist für 105 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
8M222K hat einen DC-Widerstand von 4.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
8M222K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 105 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 4.3Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.078" Dia x 0.200" L (1.98mm x 5.08mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 105MA 4.3 OHM TH |
| Serie | 8M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 20MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
