APO201216NV-R82M
TAI-TECH
- Induktivität
- 820 nH
- Strom
- 800 mA
- DCR
- 90mOhm Max
- Größe
- 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
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Serie: APO201216NV
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APO201216NV
APO201216NV-R47M
TAI-TECH
- Induktivität
- 470 nH
- Strom
- 1.1 A
- DCR
- 50mOhm Max
- Größe
- 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
APO201216NV-1R5M
TAI-TECH
- Induktivität
- 1.5 µH
- Strom
- 550 mA
- DCR
- 180mOhm Max
- Größe
- 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
| Produkt | Induktivität | Strom | DCR | Größe | Gehäuse | Aktionen |
|---|---|---|---|---|---|---|
APO201216NV-R82M TAI-TECH | 820 nH | 800 mA | 90mOhm Max | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) | 0805 (2012 Metric) | |
APO201216NV-R47M TAI-TECH | 470 nH | 1.1 A | 50mOhm Max | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) | 0805 (2012 Metric) | |
APO201216NV-1R5M TAI-TECH | 1.5 µH | 550 mA | 180mOhm Max | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) | 0805 (2012 Metric) |