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APO201216NV-R82M

APO201216NV-R82M

TAI-TECH

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APO201216NV-R82M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APO201216NV-R82M.

Induktivität
820 nH

APO201216NV-R82M hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

APO201216NV-R82M ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

APO201216NV-R82M hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

APO201216NV-R82M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 820NH 800MA 90 MOHM
SerieAPO201216NV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz360MHz
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)

Vorschau

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