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ADL4532VK-3R0M-TL000

ADL4532VK-3R0M-TL000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 3UH 1.65A 125 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3 µH
Nennstrom
1.65 A
DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ADL4532VK-3R0M-TL000.

Induktivität
3 µH

ADL4532VK-3R0M-TL000 hat eine Induktivität von 3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.65 A

ADL4532VK-3R0M-TL000 ist für 1.65 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max

ADL4532VK-3R0M-TL000 hat einen DC-Widerstand von 125mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

ADL4532VK-3R0M-TL000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.65 A
DC-Widerstand (DCR)125mOhm Max
Sättigungsstrom2.1A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3UH 1.65A 125 MOHM SMD
SerieADL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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