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AL12A08N0JTR

AL12A08N0JTR

KYOCERA AVX

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8NH 4A 2.6 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
8 nH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
2.6mOhm Max
Abmessungen
0.145 L x 0.120 W (3.68mm x 3.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AL12A08N0JTR.

Induktivität
8 nH

AL12A08N0JTR hat eine Induktivität von 8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

AL12A08N0JTR ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.6mOhm Max

AL12A08N0JTR hat einen DC-Widerstand von 2.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

AL12A08N0JTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität8 nH
Toleranz±5%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)2.6mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.145 L x 0.120 W (3.68mm x 3.05mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 8NH 4A 2.6 MOHM SMD
SerieAL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialAir
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz140 @ 150MHz
Eigenresonanzfrequenz5GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.125 (3.18mm)
Merkmale-

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