Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AL12A08N0JTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8 nH, Nennstrom 4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.6mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AL12A08N0JTR.
AL12A08N0JTR hat eine Induktivität von 8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AL12A08N0JTR ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AL12A08N0JTR hat einen DC-Widerstand von 2.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AL12A08N0JTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.6mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.145 L x 0.120 W (3.68mm x 3.05mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 8NH 4A 2.6 MOHM SMD |
| Serie | AL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Air |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 140 @ 150MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 150 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.125 (3.18mm) |
