Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CC4H1008-0082M von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 1.84 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CC4H1008-0082M.
CC4H1008-0082M hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CC4H1008-0082M ist für 1.84 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CC4H1008-0082M hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CC4H1008-0082M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.84 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 90mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.120" L x 0.110" W (3.05mm x 2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2NH 1.84A 90 MOHM |
| Serie | CC4H1008 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 50MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.2GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 50 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.090" (2.29mm) |
