Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AS0808N1JTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.1 nH, Nennstrom 4.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 6mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AS0808N1JTR.
AS0808N1JTR hat eine Induktivität von 8.1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AS0808N1JTR ist für 4.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AS0808N1JTR hat einen DC-Widerstand von 6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AS0808N1JTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.1 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 4.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 6mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.058 L x 0.084 W (1.47mm x 2.13mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 8.1NH 4.4A 6 MOHM SMD |
| Serie | AS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Air |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 130 @ 400MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5.2GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 400 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.078 (1.98mm) |
