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AWCS00372822R12J00

AWCS00372822R12J00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AWCS00372822R12J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 260mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
260mOhm Max
Abmessungen
0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWCS00372822R12J00.

Induktivität
120 nH

AWCS00372822R12J00 hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

AWCS00372822R12J00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
260mOhm Max

AWCS00372822R12J00 hat einen DC-Widerstand von 260mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AWCS00372822R12J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)260mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 120NH 800MA 260 MOHM
SerieAWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 300MHz
Eigenresonanzfrequenz1.1GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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