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AWCS00372822R18J00

AWCS00372822R18J00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AWCS00372822R18J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 430mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
180 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
430mOhm Max
Abmessungen
0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AWCS00372822R18J00.

Induktivität
180 nH

AWCS00372822R18J00 hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

AWCS00372822R18J00 ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
430mOhm Max

AWCS00372822R18J00 hat einen DC-Widerstand von 430mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AWCS00372822R18J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität180 nH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)430mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.146" L x 0.110" W (3.70mm x 2.80mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 180NH 700MA 430 MOHM
SerieAWCS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 300MHz
Eigenresonanzfrequenz900MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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