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MGTC1210CR18_ST

MGTC1210CR18_ST

Microgate Technology

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1210CR18_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
180 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max
Abmessungen
0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1210CR18_ST.

Induktivität
180 nH

MGTC1210CR18_ST hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

MGTC1210CR18_ST ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max

MGTC1210CR18_ST hat einen DC-Widerstand von 300mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

MGTC1210CR18_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität180 nH
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)300mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 180 NH 700 MA 0.3 OHM
SerieMGTC1210C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 300MHz
Eigenresonanzfrequenz650MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106 (2.70mm)

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