Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B78108E1104J009 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 640 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.45Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B78108E1104J009.
B78108E1104J009 hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B78108E1104J009 ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B78108E1104J009 hat einen DC-Widerstand von 1.45Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B78108E1104J009 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 640 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.45Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 580mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.157" Dia x 0.374" L (4.00mm x 9.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 640MA 1.45 OHM |
| Serie | B78108E |
| Produktstatus | Last Time Buy |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 796kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
