Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B78148S1225J009 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 mH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 34.7Ohm Max, Gehäusegröße Radial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B78148S1225J009.
B78148S1225J009 hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B78148S1225J009 ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B78148S1225J009 hat einen DC-Widerstand von 34.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B78148S1225J009 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 mH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 80 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 34.7Ohm Max |
| Abmessungen | 0.157" Dia x 0.362" L (4.00mm x 9.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial |
| Gehäuse / Ausführung | Radial |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2MH 80MA 34.7 OHM TH |
| Serie | BC |
| Produktstatus | Last Time Buy |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 252kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 252 kHz |
| Montageart | Through Hole |
