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B82412A1822J

TDK

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 110MA 3.8 OHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
110 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.8Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82412A1822J.

Induktivität
8.2 µH

B82412A1822J hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA

B82412A1822J ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.8Ohm Max

B82412A1822J hat einen DC-Widerstand von 3.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

B82412A1822J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom110 mA
DC-Widerstand (DCR)3.8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 110MA 3.8 OHM
SerieSIMID
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.075" (1.90mm)
Merkmale-

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