Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82412A1822J von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 110 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.8Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82412A1822J.
B82412A1822J hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82412A1822J ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82412A1822J hat einen DC-Widerstand von 3.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82412A1822J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 110 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.8Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 110MA 3.8 OHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 35 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 (3225 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
