Beschreibung
FIXED IND 15NH 640MA 120 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82412A3150M.
B82412A3150M hat eine Induktivität von 15 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82412A3150M ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82412A3150M hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82412A3150M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 15 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 640 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 15NH 640MA 120 MOHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 500MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.3GHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 (3225 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
| Merkmale | - |
