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B82412A3220K

TDK

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 22NH 600MA 120 MOHM

Technische Daten

Induktivität
22 nH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82412A3220K.

Induktivität
22 nH

B82412A3220K hat eine Induktivität von 22 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

B82412A3220K ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max

B82412A3220K hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

B82412A3220K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität22 nH
Toleranz±10%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)120mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 22NH 600MA 120 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz2.4GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.075" (1.90mm)
Merkmale-

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