Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1153J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 µH, Nennstrom 165 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.85 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1153J108.
B82422A1153J108 hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422A1153J108 ist für 165 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422A1153J108 hat einen DC-Widerstand von 1.85 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 15 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 165 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.85 Ohm Max |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE 15 U |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 27 Min @ 2.52 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 20 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 0.1 MHz |
