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B82422A1333J108

B82422A1333J108

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1333J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 105 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.5Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
105 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.5Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1333J108.

Induktivität
33 µH

B82422A1333J108 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
105 mA

B82422A1333J108 ist für 105 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.5Ohm Max

B82422A1333J108 hat einen DC-Widerstand von 4.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82422A1333J108 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±5%
Nennstrom105 mA
DC-Widerstand (DCR)4.5Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 145°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 33UH 105MA 4.5 OHM SMD
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz27 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz13MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.083" (2.10mm)

Vorschau

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