Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A3150J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.015 µH, Nennstrom 640 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.12 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A3150J108.
B82422A3150J108 hat eine Induktivität von 0.015 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422A3150J108 ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422A3150J108 hat einen DC-Widerstand von 0.12 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von B82422A3150J108 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.015 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 640 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.12 Ohm Max |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE 0,015 UH 5% |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 27 Min @ 100 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3000 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
