B82422A3180K108

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TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A3180K108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.018 µH, Nennstrom 640 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.12 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.018 µH
Nennstrom
640 mA
DC-Widerstand (DCR)
0.12 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A3180K108.

Induktivität
0.018 µH

B82422A3180K108 hat eine Induktivität von 0.018 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
640 mA

B82422A3180K108 ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.12 Ohm Max

B82422A3180K108 hat einen DC-Widerstand von 0.12 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität0.018 µH
Toleranz±10%
Nennstrom640 mA
DC-Widerstand (DCR)0.12 Ohm Max
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE 0,018 UH 10%
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz30 Min @ 100 MHz
Eigenresonanzfrequenz2500 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz

Vorschau