B82422A3330J108

B82422A3330J108

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A3330J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 540 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 170mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
540 mA
DC-Widerstand (DCR)
170mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A3330J108.

Induktivität
33 nH

B82422A3330J108 hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
540 mA

B82422A3330J108 ist für 540 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
170mOhm Max

B82422A3330J108 hat einen DC-Widerstand von 170mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82422A3330J108 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±5%
Nennstrom540 mA
DC-Widerstand (DCR)170mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 145°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 33NH 540MA 170 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz1.7GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.083" (2.10mm)

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