Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422H1104J008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.6 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1104J008.
B82422H1104J008 hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422H1104J008 ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422H1104J008 hat einen DC-Widerstand von 4.6 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 150 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 4.6 Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 170 mA Min |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE-H 100 UH 5 |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 15 Min @ 0.796 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 8 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 0.796 MHz |
