B82422H1682K008

B82422H1682K008

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422H1682K008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 350mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
580 mA
DC-Widerstand (DCR)
350mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1682K008.

Induktivität
6.8 µH

B82422H1682K008 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
580 mA

B82422H1682K008 ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
350mOhm Max

B82422H1682K008 hat einen DC-Widerstand von 350mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82422H1682K008 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±10%
Nennstrom580 mA
DC-Widerstand (DCR)350mOhm Max
Sättigungsstrom770mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 580MA 350 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz35MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount

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