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B82422H1684K008

B82422H1684K008

TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422H1684K008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 µH, Nennstrom 61 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 30 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 µH
Nennstrom
61 mA
DC-Widerstand (DCR)
30 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1684K008.

Induktivität
680 µH

B82422H1684K008 hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
61 mA

B82422H1684K008 ist für 61 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30 Ohm Max

B82422H1684K008 hat einen DC-Widerstand von 30 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität680 µH
Toleranz±10%
Nennstrom61 mA
DC-Widerstand (DCR)30 Ohm Max
Sättigungsstrom65 mA Min
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DEH 680 UH 10% 330M
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz15 Min @ 0.796 MHz
Eigenresonanzfrequenz3 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz0.796 MHz

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