B82422T1222J008

B82422T1222J008

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422T1222J008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 320 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
320 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422T1222J008.

Induktivität
2.2 µH

B82422T1222J008 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
320 mA

B82422T1222J008 ist für 320 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

B82422T1222J008 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

B82422T1222J008 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom320 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 320MA 800 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.083" (2.10mm)

Vorschau

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