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B82422T1562J000

B82422T1562J000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 5.6UH 200MA 1.6 OHM

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.6Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422T1562J000.

Induktivität
5.6 µH

B82422T1562J000 hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

B82422T1562J000 ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.6Ohm Max

B82422T1562J000 hat einen DC-Widerstand von 1.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82422T1562J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)1.6Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 200MA 1.6 OHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz27 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.083" (2.10mm)
Merkmale-

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