Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422T3560J008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.056 µH, Nennstrom 450 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.21 Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422T3560J008.
B82422T3560J008 hat eine Induktivität von 0.056 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422T3560J008 ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422T3560J008 hat einen DC-Widerstand von 0.21 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82422T3560J008 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.056 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 450 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.21 Ohm Max |
| Abmessungen | 3.2(+0.3)mm x 2.5(+0.3)mm |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE 0,056 UH 5% |
| Serie | B82422T |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 26 Min @ 100 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1100 MHz Min |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 2.3 mm |
