Beschreibung
FIXED IND 3.3UH 425MA 550 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432C1332K000.
B82432C1332K000 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82432C1332K000 ist für 425 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82432C1332K000 hat einen DC-Widerstand von 550mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82432C1332K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 425 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 550mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 425MA 550 MOHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 60MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 (4532 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
| Merkmale | - |
