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B82432T1333K000

B82432T1333K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 400MA 1.2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432T1333K000.

Induktivität
33 µH

B82432T1333K000 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

B82432T1333K000 ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

B82432T1333K000 hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82432T1333K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±10%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 33UH 400MA 1.2 OHM SMD
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz13MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812 (4532 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.134" (3.40mm)
Merkmale-

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