B82442A1332K000

B82442A1332K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82442A1332K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 1.12 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 64mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.12 A
DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442A1332K000.

Induktivität
3.3 µH

B82442A1332K000 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.12 A

B82442A1332K000 ist für 1.12 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max

B82442A1332K000 hat einen DC-Widerstand von 64mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82442A1332K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1.12 A
DC-Widerstand (DCR)64mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.12A 64 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz34MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2220 (5650 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.209" (5.30mm)

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