B82442A1563K000

B82442A1563K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82442A1563K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 µH, Nennstrom 310 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56 µH
Nennstrom
310 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442A1563K000.

Induktivität
56 µH

B82442A1563K000 hat eine Induktivität von 56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
310 mA

B82442A1563K000 ist für 310 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

B82442A1563K000 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82442A1563K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität56 µH
Toleranz±10%
Nennstrom310 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 56UH 310MA 800 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz7.8MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2220 (5650 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.209" (5.30mm)

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