Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82442T1185K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 mH, Nennstrom 110 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 19.7Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442T1185K000.
B82442T1185K000 hat eine Induktivität von 1.8 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82442T1185K000 ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82442T1185K000 hat einen DC-Widerstand von 19.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82442T1185K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 mH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 110 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 19.7Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 230mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8MH 110MA 19.7 OHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 252kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.4MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 252 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.209" (5.30mm) |
