Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82442T1825J50 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 mH, Nennstrom 54 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80.6Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442T1825J50.
B82442T1825J50 hat eine Induktivität von 8.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82442T1825J50 ist für 54 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82442T1825J50 hat einen DC-Widerstand von 80.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82442T1825J50 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 mH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 54 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80.6Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 92mA |
| Abmessungen | 0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2MH 54MA 80.6 OHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 252kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 600kHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 252 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 2220 (5650 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.209" (5.30mm) |
