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B82476B1334M100

B82476B1334M100

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82476B1334M100 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 810mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
810mOhm Max
Abmessungen
0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82476B1334M100.

Induktivität
330 µH

B82476B1334M100 hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

B82476B1334M100 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
810mOhm Max

B82476B1334M100 hat einen DC-Widerstand von 810mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

B82476B1334M100 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität330 µH
Toleranz±20%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)810mOhm Max
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 330UH 650MA 810 MOHM
SerieB82476B1
ProduktstatusLast Time Buy
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.200" (5.08mm)

Vorschau

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