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B82496C3101J000

B82496C3101J000

TDK

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100NH 200MA 1.8 OHM

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82496C3101J000.

Induktivität
100 nH

B82496C3101J000 hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

B82496C3101J000 ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.8Ohm Max

B82496C3101J000 hat einen DC-Widerstand von 1.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

B82496C3101J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)1.8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 100NH 200MA 1.8 OHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1.8GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.035" (0.90mm)
Merkmale-

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