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B82496C3560J000

B82496C3560J000

TDK

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 56NH 250MA 1.2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
56 nH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82496C3560J000.

Induktivität
56 nH

B82496C3560J000 hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

B82496C3560J000 ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

B82496C3560J000 hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

B82496C3560J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität56 nH
Toleranz±5%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 56NH 250MA 1.2 OHM SMD
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz2.5GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.035" (0.90mm)
Merkmale-

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