B82498F3150J000

B82498F3150J000

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82498F3150J000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 nH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 nH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max
Abmessungen
0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82498F3150J000.

Induktivität
15 nH

B82498F3150J000 hat eine Induktivität von 15 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

B82498F3150J000 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm Max

B82498F3150J000 hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

B82498F3150J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität15 nH
Toleranz±5%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)130mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.091" L x 0.067" W (2.30mm x 1.70mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 15NH 650MA 130 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz3.3GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

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