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BPDC000303102R2T00

BPDC000303102R2T00

Pulse Electronics

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.2A 119 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
119mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPDC000303102R2T00.

Induktivität
2.2 µH

BPDC000303102R2T00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

BPDC000303102R2T00 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
119mOhm Max

BPDC000303102R2T00 hat einen DC-Widerstand von 119mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

BPDC000303102R2T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)119mOhm Max
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.2A 119 MOHM
SerieBPDC
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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