Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L3010C2R2MDWDT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 95mOhm, Gehäusegröße 1212 (3030 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L3010C2R2MDWDT.
L3010C2R2MDWDT hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L3010C2R2MDWDT ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L3010C2R2MDWDT hat einen DC-Widerstand von 95mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L3010C2R2MDWDT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 95mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 120°C |
| Abmessungen | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1212 (3030 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1212 (3030 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.1A 95 MOHM SMD |
| Serie | L-DWD |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 82MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1212 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
