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CTLV3015SF-2R2M

CTLV3015SF-2R2M

Central Technologies

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.8A 90 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.8 A
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV3015SF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTLV3015SF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.8 A

CTLV3015SF-2R2M ist für 1.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm

CTLV3015SF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 90mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

CTLV3015SF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.8 A
DC-Widerstand (DCR)90mOhm
Sättigungsstrom2.07A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.8A 90 MOHM SMD
SerieCTLV3015SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.059 (1.50mm)
Merkmale-

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