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BPXX000303101R0T00

BPXX000303101R0T00

Pulse Electronics

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 1.75A 85 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.75 A
DC-Widerstand (DCR)
85mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BPXX000303101R0T00.

Induktivität
1 µH

BPXX000303101R0T00 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.75 A

BPXX000303101R0T00 ist für 1.75 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
85mOhm Max

BPXX000303101R0T00 hat einen DC-Widerstand von 85mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

BPXX000303101R0T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.75 A
DC-Widerstand (DCR)85mOhm Max
Sättigungsstrom1.6A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.75A 85 MOHM SMD
SerieBPXX
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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