Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2125JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 348 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.597 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2125JUL4T.
CL1008-2125JUL4T hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CL1008-2125JUL4T ist für 348 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CL1008-2125JUL4T hat einen DC-Widerstand von 0.597 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Nennstrom | 348 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.597 Ohm Max |
| Lieferant | Knowles Voltronics |
| Beschreibung | 1008 IND 1.2UH HIGH Q |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 35 Min @ 100 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 240 MHz Min |
