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CT0805CSF-122G

CT0805CSF-122G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-122G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 170 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.5Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
170 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-122G.

Induktivität
1.2 µH

CT0805CSF-122G hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
170 mA Max

CT0805CSF-122G ist für 170 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm

CT0805CSF-122G hat einen DC-Widerstand von 2.5Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±2%
Nennstrom170 mA Max
DC-Widerstand (DCR)2.5Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 2.5 OHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz18 Min @ 25 MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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